求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：


2 Z$ G. g, Z. j在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
( l, ^9 X9 D: |/ w3 l1.
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
2.
* T2 V! y5 y# G! \如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
硅材料 Nc＝2.8*1019
3 F) c* }1 W8 [! QNv＝1.04*1019
e＝1.6*10－19C
1 C/ ~/ C/ z& `; gKB＝1.38*10－23J/K

9 f) k# p( T8 ~3 D4 m  ?2 {
5 ~& W6 J8 `0 s
, k3 Z, m6 B7 t# g9 Z- T
  h/ I% w& c- y+ H好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!